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书名：电子技术基础项目教程，ISBN：978 - 7 - 111 - 45542 - 4，作者：梁洪洁，出版社：机械工业出版社，本书配有电子课件，项目二为放大电路的分析与设计，知识目标包括掌握晶体管的结构，还包括掌握晶体管放大电路的静态分析方法，以及掌握晶体管放大电路的动态分析方法。掌握晶体管放大电路静态分析方法，掌握晶体管放大电路动态分析方法。能力目标：能看懂电路图。能力目标：会搭建电路。能画出共射电路。能对画出的共射电路进行分析计算。会检查放大电路结构是否合理。会检查放大电路输出波形是否失真。会检查放大电路工作状态。否失真，工作状态。模块模块2.1

三极管又被称作双极型晶体管、晶体管，简称为三极管，它有外形，有分类，分为型、型、型。它有三区、三极、二结，三个区分别是发射区、基区、集电区，三个极分别是发射极e、基极b、集电极c，两个结是发射结、集电结。其符号为，内部放大的条件是发射区为高浓度掺杂区，且基区很薄。

基区很薄，杂质浓度低，集电结面积大。二、三极管的分类 1. 按组合方式：型和型。2. 按使用材料：硅管和锗管。3. 按工作频率：高频管和低频管。按功能分类，有开关管，有功率管，有达林顿管，还有光敏管等。按功能分类，有开关管，有功率管，有达林顿管，还有光敏管等。按消耗功率可分为小功率管、中功率管和大功率管等，三极管存在偏置情况，以及各极电流之间存在关系，关于晶体管有偏置方面的内容，其外部放大存在条件。

大的条件是发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。晶体管有三个极管脚，分别是1、2、3，使用直流电压表，在放大状态下测得其电位，U1 = 2V，U2 = 7V，U3 = 2.7V，据此判断三极管的类型以及三极管对应的各电极。试判断三极管的类型以及三极管对应的各电极，解，首先根据两电极的电位差应为0.7V（硅管）或0.3V（锗管）来判断三极管的材料，并确定集电极，其次根（锗管）来判断三极管的材料，并确定集（此内容表述似乎不完整且存在重复等问题，你可检查确认后继续向我提问）

其次，根据集电极电位的高低判断是何种管，最后，依据剩余两个管脚电位的高低判断发射极和基极。硅管，22管脚应是集电极管脚，该三极管应为c型，3号管脚是基极，1号管脚为发射极e。二、晶体管各极电流的形成，1.发射区向基区注入载流子的过程，因发射结外加正向电压，发射区的电子载流子持续注入基区，基区的多数载流子

空穴不断地流入并注入基区，基区的多数载流子空穴也流入发射区，二者共同形成发射极电流，但是，由于基区掺杂浓度比发射区小，流入发射区的空穴流与流入基区的电子流相比可忽略。由发射区注入基区的电子载流子，不断地向集电结方向扩散，这是载流子在基区中扩散与复合过程的一部分。因为基区宽度制作得很小，且掺杂浓度也有相应情况。基区宽度制作得很小，掺杂浓度也很低，这大大减小了复合的机会，使得注入基区中的情况很低。

大地减小了复合的机会，注入基区中的电子载流子绝大部分都能到达集电结，基区中是以扩散电流为主的，扩散与复合的比例决定了晶体管的电流放大能力。集电结外加较大的反向电压，使得结内电场很强，基区中扩散到集电结边缘的电子，受到强电场的作用，迅速漂移越过集电结，进而进入集电区，最终形成集电极电流。迅速漂移着越过集电结，进而进入集电区，最终形成集电极电流。另一方面，集电结的两边

另一方面，集电结两边存在少数载流子，这些少数载流子要经过集电结漂移，之后在集电极和发射极之间形成反向饱和电流。集电极电流变化量与基极电流变化量之比被称作电流放大系数，这就是电流放大作用中的电流放大系数。总结：要实现晶体管的放大作用，一方面要满足内部条件。这个条件是，发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度

同条件是发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很薄，另一方面要满足外部条件，即发射结正偏，集电结反偏。晶体管有共发射极连接方式，简称共射接法，其以基极为输入端，以集电极为输出端，发射极为公共端。共基极连接（简称共基接法），其以发射极为输入端，集电极为输出端，且基极为公共端。共集电极连接（简称共集接法），其以基极

极为输入端，发射极为输出端，以基极为输入端，发射极为输出端，集电极为公共端，集电极为公共端。三极管的特性曲线，特性曲线是：三极管各极电压与电流之间的关系用曲线表示，这就是三极管的特性曲线。特性曲线分类包括输入特性曲线、输出特性曲线，这是q特性曲线分类中的内容。测试电路包含一、输入特性曲线，这是q测试电路中的内容。输入特性是指三极管输入电流和输入电压之间的关系。输入特性曲线是输入特性的曲线。输入特性的曲线即为输入特

输出特性，指三极管输出电流和输出电压之间的关系。输出特性曲线，是输出特性的曲线。工作状态包括截止区、饱和区、放大区。截止区，将I B =0以下的区域称为截止区，三极管发射结零偏或反偏，集电结反偏，即U ，U 0，三极管的发射极集电极之间相当于断路。饱和区。放大区。

类似集电极之间相当于断路，这类似于开关的断开状态，将U时是区域称为饱和区。接法：三极管发射结为正偏，三极管集电结也为正偏。特点：在理想状态下，三极管的发射极与集电极之间相当于短路，这种情况类似于开关处于闭合状态。放大区定义为，将U BE且等于0以上的区域称作放大区，接法是，三极管的发射结正偏，集电结反偏。

三极管的输出电流与输入电流的关系满足特定情况。三极管有主要参数，其中电流放大系数包含共射电流放大系数。共射电流放大系数又分共射直流电流放大系数和共射交流电流放大系数。共射直流电流放大系数是指在共射极放大电路中，当交流输入信号为零时，管子各极间电压和电流都是直流量，此时集电极电流和基极电流之比。共射交流电流放大系数是把两电流变化量之比称为共射交流电流放大系数。把两电流变化量之比

14、称为共射交流电流放大系数。通常情况下，有这样的对应关系：=20=20250 200，一般是=40=4080 80 。共基极电流放大系数方面，其一，共基极直流电流放大系数，指的是在共基极放大电路中，当交流输入信号为零的时候，集电极电流和发射极电流的比值。其二，共基极交流电流放大系数，指的是在共基极放大电路中，存在交流输入信号时，集电极电流的变化量与发射极电流的变化量的比值。二、极间反向饱和电流

饱和电流中的反向饱和电流 I，是指发射极开路时，集电结加反向电压时所测得的集电极电流，在一定温度下，它基本上是常数，且与 UCB 无关。常温下，小功率锗管的I为A级。常温下，小功率硅管的I更小，为nA级。穿透电流I是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流。穿透电流的大小

小受温度影响，存在极之间的反向电流，穿透电流大小受温度影响较大，温度升高时，I增大，穿透电流增大，穿透电流I是衡量晶体管质量的重要参数。晶体管的集电极电流I ICM在相当大的范围内值基本保持不变，不过当I IC的数值大到一定程度时，电流放大系数值会下降，此I ICM即集电极最大允许电流。我们把值增大，增大到使值下降到正常值，此时值将下降。我们把值增大到使值下降到正常值的2/3时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流，即ICM 。实际中，集电极电流必须满足一定条件，根据交流通路画出微变等效电路，涉及单管放大电路三种组态的识别。

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